Υπόστρωμα PMN-PT
Περιγραφή
Ο κρύσταλλος PMN-PT είναι γνωστός για τον εξαιρετικά υψηλό συντελεστή ηλεκτρομηχανικής σύζευξης, τον υψηλό πιεζοηλεκτρικό συντελεστή, την υψηλή καταπόνηση και τις χαμηλές διηλεκτρικές απώλειες.
Ιδιότητες
| Χημική σύνθεση | ( PbMg 0,33 Nb 0,67) 1-x: (PbTiO3)x |
| Δομή | R3m, Rhombohedral |
| Πλέγμα | a0 ~ 4,024Å |
| Σημείο τήξης (℃) | 1280 |
| Πυκνότητα (g/cm3) | 8.1 |
| Πιεζοηλεκτρικός Συντελεστής d33 | >2000 pC/N |
| Διηλεκτρική Απώλεια | tand<0,9 |
| Σύνθεση | κοντά στο όριο της μορφοτροπικής φάσης |
Ορισμός υποστρώματος PMN-PT
Το υπόστρωμα PMN-PT αναφέρεται σε μια λεπτή μεμβράνη ή γκοφρέτα κατασκευασμένη από πιεζοηλεκτρικό υλικό PMN-PT.Χρησιμεύει ως βάση στήριξης ή βάση για διάφορες ηλεκτρονικές ή οπτοηλεκτρονικές συσκευές.
Στο πλαίσιο του PMN-PT, ένα υπόστρωμα είναι συνήθως μια επίπεδη άκαμπτη επιφάνεια στην οποία μπορούν να αναπτυχθούν ή να εναποτεθούν λεπτά στρώματα ή δομές.Τα υποστρώματα PMN-PT χρησιμοποιούνται συνήθως για την κατασκευή συσκευών όπως πιεζοηλεκτρικοί αισθητήρες, ενεργοποιητές, μετατροπείς και συγκομιδές ενέργειας.
Αυτά τα υποστρώματα παρέχουν μια σταθερή πλατφόρμα για την ανάπτυξη ή την εναπόθεση πρόσθετων στρωμάτων ή δομών, επιτρέποντας την ενσωμάτωση των πιεζοηλεκτρικών ιδιοτήτων του PMN-PT σε συσκευές.Η μορφή λεπτής μεμβράνης ή γκοφρέτας υποστρωμάτων PMN-PT μπορεί να δημιουργήσει συμπαγείς και αποτελεσματικές συσκευές που επωφελούνται από τις εξαιρετικές πιεζοηλεκτρικές ιδιότητες του υλικού.
Σχετικά προϊόντα
Η αντιστοίχιση υψηλού πλέγματος αναφέρεται στην ευθυγράμμιση ή την αντιστοίχιση δομών πλέγματος μεταξύ δύο διαφορετικών υλικών.Στο πλαίσιο των ημιαγωγών MCT (τελλουρίδιο του καδμίου υδραργύρου), η αντιστοίχιση υψηλού πλέγματος είναι επιθυμητή επειδή επιτρέπει την ανάπτυξη επιταξιακών στρωμάτων υψηλής ποιότητας, χωρίς ελαττώματα.
Το MCT είναι ένα σύνθετο ημιαγωγικό υλικό που χρησιμοποιείται συνήθως σε ανιχνευτές υπερύθρων και συσκευές απεικόνισης.Για να μεγιστοποιηθεί η απόδοση της συσκευής, είναι κρίσιμο να αναπτυχθούν επιταξιακά στρώματα MCT που ταιριάζουν στενά με τη δομή του πλέγματος του υποκείμενου υλικού υποστρώματος (συνήθως CdZnTe ή GaAs).
Με την επίτευξη υψηλής αντιστοίχισης πλέγματος, βελτιώνεται η ευθυγράμμιση των κρυστάλλων μεταξύ των στρωμάτων και μειώνονται τα ελαττώματα και η καταπόνηση στη διεπιφάνεια.Αυτό οδηγεί σε καλύτερη κρυσταλλική ποιότητα, βελτιωμένες ηλεκτρικές και οπτικές ιδιότητες και βελτιωμένη απόδοση της συσκευής.
Η αντιστοίχιση υψηλού πλέγματος είναι σημαντική για εφαρμογές όπως η υπέρυθρη απεικόνιση και ανίχνευση, όπου ακόμη και μικρά ελαττώματα ή ατέλειες μπορούν να υποβαθμίσουν την απόδοση της συσκευής, επηρεάζοντας παράγοντες όπως η ευαισθησία, η χωρική ανάλυση και η αναλογία σήματος προς θόρυβο.
